首页>2N6035G>规格书详情

2N6035G分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

PDF无图
厂商型号

2N6035G

参数属性

2N6035G 封装/外壳为TO-225AA,TO-126-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP DARL 60V 4A TO126

功能描述

Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors
TRANS PNP DARL 60V 4A TO126

封装外壳

TO-225AA,TO-126-3

文件大小

133.15 Kbytes

页面数量

6

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

网址

网址

数据手册

原厂下载下载地址一下载地址二到原厂下载

更新时间

2025-11-3 23:00:00

人工找货

2N6035G价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

2N6035G规格书详情

2N6035G属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由安森美半导体制造生产的2N6035G晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    2N6035G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    管件

  • 晶体管类型:

    PNP - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    3V @ 40mA,4A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    750 @ 2A,3V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-225AA,TO-126-3

  • 供应商器件封装:

    TO-126

  • 描述:

    TRANS PNP DARL 60V 4A TO126

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
24+
TO-225
1259
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
询价
ON/安森美
24+
NA/
900
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
询价
恩XP
23+
SOT23
30000
全新原装假一赔十
询价
ST/意法
22+
TO-126
100000
代理渠道/只做原装/可含税
询价
ST/意法
22+
SMD
30000
只做原装正品
询价
ON/安森美
25+
25000
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票!
询价
ON/安森美
21+
SMD
30000
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税
询价
ST/意法
22+
N
30000
十七年VIP会员,诚信经营,一手货源,原装正品可零售!
询价
ST
23+
TO-126
16900
正规渠道,只有原装!
询价
ON
24+
TO-225
8866
询价