2N5657G分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

| 厂商型号 |
2N5657G |
| 参数属性 | 2N5657G 封装/外壳为TO-225AA,TO-126-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 350V 0.5A TO126 |
| 功能描述 | Plastic NPN Silicon High?뭋oltage Power Transistor |
| 封装外壳 | TO-225AA,TO-126-3 |
| 文件大小 |
80.51 Kbytes |
| 页面数量 |
5 页 |
| 生产厂商 | ONSEMI |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-1 12:00:00 |
| 人工找货 | 2N5657G价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
2N5657G规格书详情
2N5657G属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由安森美半导体制造生产的2N5657G晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
产品属性
更多- 产品编号:
2N5657G
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
管件
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
10V @ 100mA,500mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
30 @ 100mA,10V
- 频率 - 跃迁:
10MHz
- 工作温度:
-65°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-225AA,TO-126-3
- 供应商器件封装:
TO-126
- 描述:
TRANS NPN 350V 0.5A TO126
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
2511 |
8484 |
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MOTOROLA/摩托罗拉 |
2023+ |
MODULE |
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CHINA |
23+ |
TO-3 |
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三年内 |
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只做原装正品 |
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ON |
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SMD |
100500 |
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ON |
24+ |
TO-225 |
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ON/安森美 |
22+ |
TO-225 |
18000 |
原装正品 |
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ON |
23+ |
2800 |
正品原装货价格低 |
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ON/安森美 |
25+ |
TO-225AA |
860000 |
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ON Semiconductor |
2010+ |
N/A |
2035 |
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