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2N6032

HIGH CURRENT HIGH SPEED HIGH POWER TRANSISTORS

GESSGE Solid State

GE Solid State

GESS

2N6032

NPN POWER SILICON TRANSISTOR

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi

2N6032

isc Silicon NPN Power Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

2N6032

Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3

SEME-LAB

Seme LAB

SEME-LAB

2N6032

包装:卷带(TR) 封装/外壳:TO-204AA,TO-3 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:POWER BJT

MicrochipMicrochip Technology Inc.

微芯科技微芯科技股份有限公司

Microchip

JAN2N6032

NPNPOWERSILICONTRANSISTOR

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi

JANTX2N6032

NPNPOWERSILICONTRANSISTOR

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi

JANTXV2N6032

NPNPOWERSILICONTRANSISTOR

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi

晶体管资料

  • 型号:

    2N6032

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    开关管 (S)_功率放大 (L)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    120V

  • 最大电流允许值:

    50A

  • 最大工作频率:

    >50MHZ

  • 引脚数:

    2

  • 可代换的型号:

    2N6275,2N6276,2N6277,3DK108E,

  • 最大耗散功率:

    140W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    E-44

  • vtest:

    120

  • htest:

    50000100

  • atest:

    50

  • wtest:

    140

产品属性

  • 产品编号:

    2N6032

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Military, MIL-PRF-19500/528

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.3V @ 5A,50A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    10mA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    10 @ 50A,2.6V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-204AA,TO-3

  • 供应商器件封装:

    TO-204AD(TO-3)

  • 描述:

    POWER BJT

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
MOT
TO-3
10000
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MOTOROLA
16+
TO-3
1500
原装现货假一罚十
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只做进口原装,终端工厂免费送样
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专业铁帽
TO-3
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原装铁帽专营,代理渠道量大可订货
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铁帽原装主营-可开原型号增税票
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TO-204AA,TO-3
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MICROCHIP
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7300
专注配单,只做原装进口现货
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MICROCHIP
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更多2N6032供应商 更新时间2024-4-28 10:50:00