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2N5770	文件：25.86 Kbytes Page：2 Pages	NPN RF Transistor NPNRFTransistor ThisdeviceisdesignedforuseasRFamplifiers,oscillatorsand multiplierswithcollectorcurrentsinthe1.0mAto30mArange. SourcedfromProcess43.SeePN918forcharacteristics.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N5770	文件：59.64 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR 2N5770isNPNsiliconplanarepitaxialtransistordesignedforsmallsignalhighfrequencyamplifiersandoscillators.	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
2N5770	文件：59.95 Kbytes Page：1 Pages	Small Signal Transistors TO-92 Case (Continued) DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N4400and2N4401aresiliconNPNtransistorsdesignedforgeneralpurposeamplifierandswitchingapplications.PNPcomplementarytypesare2N4402and2N4403. MARKING:FULLPARTNUMBER	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
2N5770	文件：450.73 Kbytes Page：2 Pages	NPN - RF Transistor Chip SmallSignalTransistor NPN-RFTransistorChip PROCESSDETAILS ProcessEPITAXIALPLANAR DieSize14.5x14.5MILS DieThickness7.1MILS BaseBondingPadArea2.4x2.2MILS EmitterBondin	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
2N5770	文件：866.57 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN transistor in a TO-92 Plastic Package Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-92PlasticPackage. Features HighfT. Applications UseasRFamplifiers,oscillatorsandmultiplierswithcollectorcurrentsinthe1.0mA～30mArange.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
2N5770	文件：81.37 Kbytes Page：1 Pages	SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081 SmallSignalTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
2N5770	文件：248.43 Kbytes Page：3 Pages	NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR NPNSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTOR VHF/UHFAmplifierMixerandOscillatorApplications	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
2N5770	文件：298.3 Kbytes Page：7 Pages	NPN RF Transistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N5770	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 15V TO92-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N5770_01	文件：298.3 Kbytes Page：7 Pages	NPN RF Transistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

产品属性

产品编号：
2N5770
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
15V
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
6dB @ 60MHz
增益：
15dB
功率 - 最大值：
350mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 8mA，10V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
50mA
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
供应商器件封装：
TO-92-3
描述：
RF TRANS NPN 15V TO92-3

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更多2N5770供应商更新时间2025-6-16 10:21:00

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