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2N5821	文件：52.91 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N5820 series types are epoxy molded complementary silicon small signal transistors manufactured by the epitaxial planar process designed for general purpose amplifier applications where a high collector current rating is required. MARKING CODE: FULL PART N 文件：52.91 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N5821	文件：138.47 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARY SILICON AF MEDIUM POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON AF MEDIUM POWER TRANSISTORS 文件：138.47 Kbytes 页数：2 Pages	MICRO-ELECTRONICS	MICRO-ELECTRONICS
2N5821	文件：142.16 Kbytes Page：1 Pages	SILICON TRANSISTORS Silicon Transistor These silicon, planar, passivated, epitaxial transistors are intended to satisfy a wide range general purpose applications at audio low and intermediate frequencies. 文件：142.16 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N5821	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT PNP 60V 0.75A 3-Pin TO-92	NJS	NJS

晶体管资料

型号：
2N5821
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_TR
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
70V
最大电流允许值：
0.75A
最大工作频率：
>100MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC490,BC528,BC640,2N2906A,2N2907A,2SB647,2SB910,2SB1041,3CK10C,
最大耗散功率：
0.5W
放大倍数：
β>60
图片代号：
A-23
vtest：
70
htest：
100000100
atest：
0.75
wtest：
0.5

技术参数

Maximum Power Dissipation：
625mW
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum DC Collector Current：
0.75A
Maximum Collector Emitter Voltage：
60V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.75@50mA@500mAV
Maximum Collector Base Voltage：
70V
Material：
Si
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Small Signal

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