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2N582	文件：2.44311 Mbytes Page：6 Pages	GERMANIUM PNP TRANSISTORS 文件：2.44311 Mbytes 页数：6 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N5820	文件：142.16 Kbytes Page：1 Pages	SILICON TRANSISTORS Silicon Transistor These silicon, planar, passivated, epitaxial transistors are intended to satisfy a wide range general purpose applications at audio low and intermediate frequencies. 文件：142.16 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N5820	文件：52.91 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N5820 series types are epoxy molded complementary silicon small signal transistors manufactured by the epitaxial planar process designed for general purpose amplifier applications where a high collector current rating is required. MARKING CODE: FULL PART N 文件：52.91 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N5820	文件：138.47 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARY SILICON AF MEDIUM POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON AF MEDIUM POWER TRANSISTORS 文件：138.47 Kbytes 页数：2 Pages	MICRO-ELECTRONICS	MICRO-ELECTRONICS
2N5821	文件：138.47 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARY SILICON AF MEDIUM POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON AF MEDIUM POWER TRANSISTORS 文件：138.47 Kbytes 页数：2 Pages	MICRO-ELECTRONICS	MICRO-ELECTRONICS
2N5821	文件：52.91 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N5820 series types are epoxy molded complementary silicon small signal transistors manufactured by the epitaxial planar process designed for general purpose amplifier applications where a high collector current rating is required. MARKING CODE: FULL PART N 文件：52.91 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N5821	文件：142.16 Kbytes Page：1 Pages	SILICON TRANSISTORS Silicon Transistor These silicon, planar, passivated, epitaxial transistors are intended to satisfy a wide range general purpose applications at audio low and intermediate frequencies. 文件：142.16 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N5822	文件：138.47 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARY SILICON AF MEDIUM POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON AF MEDIUM POWER TRANSISTORS 文件：138.47 Kbytes 页数：2 Pages	MICRO-ELECTRONICS	MICRO-ELECTRONICS
2N5822	文件：142.16 Kbytes Page：1 Pages	SILICON TRANSISTORS Silicon Transistor These silicon, planar, passivated, epitaxial transistors are intended to satisfy a wide range general purpose applications at audio low and intermediate frequencies. 文件：142.16 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N5822	文件：52.91 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N5820 series types are epoxy molded complementary silicon small signal transistors manufactured by the epitaxial planar process designed for general purpose amplifier applications where a high collector current rating is required. MARKING CODE: FULL PART N 文件：52.91 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL

晶体管资料

型号：
2N582
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
25V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
18MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
ASY26,ASY27,ASY76,ASY77,2N1305,3AK33,
最大耗散功率：
0.12W
放大倍数：
图片代号：
D-9
vtest：
25
htest：
18000000
atest：
0.1
wtest：
0.12

技术参数

Maximum Power Dissipation：
625mW
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum DC Collector Current：
0.75A
Maximum Collector Emitter Voltage：
60V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.75@50mA@500mAV
Maximum Collector Base Voltage：
70V
Material：
Si
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Small Signal

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更多2N582供应商更新时间2026-4-17 15:08:00

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