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2N5822分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

2N5822

参数属性

2N5822 封装/外壳为TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA);包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 70V 0.75A TO92

功能描述

COMPLEMENTARY SILICON AF MEDIUM POWER TRANSISTORS

封装外壳

TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)

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138.47 Kbytes

页面数量

2

生产厂商

MICRO-ELECTRONICS

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更新时间

2026-2-9 20:00:00

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晶体管资料

  • 型号:

    2N5822

  • 别名:

    2N5822三极管、2N5822晶体管、2N5822晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_TR

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    70V

  • 最大电流允许值:

    0.75A

  • 最大工作频率:

    >120MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BC489,BC538,BC639,2N2220A,2N2221A,2N2222A,2SD667,2SD1226,2SD1768,3DK3D,

  • 最大耗散功率:

    0.5W

  • 放大倍数:

    β>100

  • 图片代号:

    A-23

  • vtest:

    70

  • htest:

    120000100

  • atest:

    0.75

  • wtest:

    0.5

2N5822规格书详情

COMPLEMENTARY SILICON AF MEDIUM POWER TRANSISTORS

产品属性

  • 产品编号:

    2N5822 PBFREE

  • 制造商:

    Central Semiconductor Corp

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.2V @ 50mA,500mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 2mA,2V

  • 频率 - 跃迁:

    120MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)

  • 供应商器件封装:

    TO-92

  • 描述:

    TRANS NPN 70V 0.75A TO92

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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