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2N5819中文资料新泽西半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

2N5819

功能描述

BJTS, SI PNP LO-PWR

文件大小

92.03 Kbytes

页面数量

1

生产厂商

NJSEMI New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

中文名称

新泽西半导体 新泽西半导体公司

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数据手册

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更新时间

2026-2-9 20:40:00

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晶体管资料

  • 型号:

    2N5819

  • 别名:

    2N5819三极管、2N5819晶体管、2N5819晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_TR

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    50V

  • 最大电流允许值:

    0.75A

  • 最大工作频率:

    >135MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BC297,BC327,BC636,BC638,BC640,BC727,3CK10E,

  • 最大耗散功率:

    0.5W

  • 放大倍数:

    β>150

  • 图片代号:

    A-23

  • vtest:

    50

  • htest:

    135000100

  • atest:

    0.75

  • wtest:

    0.5

2N5819规格书详情

COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS

TO-92-18R CASE

产品属性

  • 型号:

    2N5819

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT PNP Med Power

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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