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2N5819

COMPLEMENTARY SILICON AF MEDIUM POWER TRANSISTOR

COMPLEMENTARY SILICON AF MEDIUM POWER TRANSISTOR

文件:162.69 Kbytes 页数:2 Pages

MICRO-ELECTRONICS

2N5819

BJTS, SI PNP LO-PWR

COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS TO-92-18R CASE

文件:92.03 Kbytes 页数:1 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2N5819

COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS

COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS TO-92-18R CASE

文件:80.93 Kbytes 页数:1 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2N5819

Trans GP BJT PNP 40V 0.75A 3-Pin TO-92 Box

NJS

NJS

技术参数

  • Maximum Transition Frequency:

    135(Min)MHz

  • Maximum Power Dissipation:

    625mW

  • Maximum Operating Temperature:

    150°C

  • Maximum Emitter Base Voltage:

    5V

  • Maximum DC Collector Current:

    0.75A

  • Maximum Collector Emitter Voltage:

    40V

  • Maximum Collector Emitter Saturation Voltage:

    0.75@50mA@500mAV

  • Maximum Collector Base Voltage:

    50V

  • Material:

    Si

  • Category:

    Bipolar Small Signal

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更多2N5819供应商 更新时间2025-12-1 17:58:00