2N5770数据手册分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF
| 厂商型号 |
2N5770 |
| 参数属性 | 2N5770 封装/外壳为TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 15V TO92-3 |
| 功能描述 | NPN RF Transistor |
| 封装外壳 | TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-7 23:00:00 |
| 人工找货 | 2N5770价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
2N5770规格书详情
简介
2N5770属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由制造生产的2N5770晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
技术参数
更多- 产品编号：
2N5770
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
15V
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
6dB @ 60MHz
- 增益：
15dB
- 功率 - 最大值：
350mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 8mA，10V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
50mA
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
- 供应商器件封装：
TO-92-3
- 描述：
RF TRANS NPN 15V TO92-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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