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2N5770中文资料NPN RF Transistor数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

2N5770

参数属性

2N5770 封装/外壳为TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA);包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 15V TO92-3

功能描述

NPN RF Transistor
RF TRANS NPN 15V TO92-3

封装外壳

TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-23 10:50:00

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2N5770规格书详情

简介

2N5770属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由制造生产的2N5770晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    2N5770

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    15V

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    6dB @ 60MHz

  • 增益:

    15dB

  • 功率 - 最大值:

    350mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 8mA,10V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    50mA

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)

  • 供应商器件封装:

    TO-92-3

  • 描述:

    RF TRANS NPN 15V TO92-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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