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FAIRCHILD/仙童TO-92

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2N5770

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2N5770价格

2N5770价格：￥0.6258品牌：Central Semiconductor Co

生产厂家品牌为Central Semiconductor Co的2N5770多少钱，想知道2N5770价格是多少？参考价：￥0.6258。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，2N5770批发价格及采购报价，2N5770销售排行榜及行情走势，2N5770报价。

2N5770中文资料Alldatasheet PDF

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2N5770功能描述:两极晶体管 - BJT NPN RF Amp/Osc RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

2N5770_01制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN RF Transistor

2N5770_D26Z功能描述:两极晶体管 - BJT NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

2N5770_D27Z功能描述:两极晶体管 - BJT NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

2N5770_D74Z功能描述:两极晶体管 - BJT NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

2N5770_D75Z功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 15V 50mA HFE/2 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

2N5770_D75Z_Q功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 15V 50mA HFE/2 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

2N5770_Q功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 15V 50mA HFE/2 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

产品属性

  • 产品编号：

    2N5770

  • 制造商：

    onsemi

  • 类别：

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频

  • 包装：

    卷带（TR）

  • 晶体管类型：

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿（最大值）：

    15V

  • 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：

    6dB @ 60MHz

  • 增益：

    15dB

  • 功率 - 最大值：

    350mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：

    50 @ 8mA，10V

  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：

    50mA

  • 工作温度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安装类型：

    通孔

  • 封装/外壳：

    TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）

  • 供应商器件封装：

    TO-92-3

  • 描述：

    RF TRANS NPN 15V TO92-3

晶体管资料

  • 型号：

    2N5770

  • 别名：

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性质：

    超高频/特高频 （UHF）

  • 封装形式：

    直插封装

  • 极限工作电压：

    30V

  • 最大电流允许值：

    0.05A

  • 最大工作频率：

    >900MHZ

  • 引脚数：

    3

  • 可代换的型号：

    BF377,BF378,BF689,BF763,BFR37,BFT17,BFW30,2N2857,3DG112D,

  • 最大耗散功率：

    0.7W

  • 放大倍数：

  • 图片代号：

    A-31

  • vtest：

    30

  • htest：

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  • atest：

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