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2N5793

NPN SILICON DUAL TRANSISTOR

NPN SILICON DUAL TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/495

文件:131.1 Kbytes 页数:2 Pages

MICROSEMI

美高森美

2N5793

NPN SILICON DUAL TRANSISTOR

DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N5793, 2N5794 types are silicon NPN dual transistors manufactured by the epitaxial planar process utilizing two individual chips mounted in a hermetically sealed metal case designed for differential amplifier applications.

文件:67.32 Kbytes 页数:1 Pages

CENTRAL

2N5793

SILICON DUAL DIFFERNTIAL AMPLIFIER TRANSISTORS

文件:141.36 Kbytes 页数:1 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

2N5793

NPN Silicon Dual 40V, 0.6A

This specification covers the performance requirements for unitized, dual transistors which contains a pair of electrically isolated matched and unmatched NPN, silicon , 2N5793 and 2N5794 Unitized, dual 2N2222A transistors in one package. Four levels of product assurance (JAN, JANTX, JANTXV and JANS

Microchip

微芯科技

2N5793

Package:TO-78-6 金属罐;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列 描述:TRANSISTOR DUAL TO78

CENTRAL

2N5793

包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:NPN TRANSISTOR

MICROCHIP

微芯科技

晶体管资料

  • 型号:

    2N5793

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    差分放大器射极输出 (Dual)_开关管 (S)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    75V

  • 最大电流允许值:

    0.6A

  • 最大工作频率:

    >250MHZ

  • 引脚数:

    6

  • 可代换的型号:

    BFX10,2N3409,2N3410,2N3411,2N3728,2N3729,

  • 最大耗散功率:

    0.6W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    D-52

  • vtest:

    75

  • htest:

    250000100

  • atest:

    0.6

  • wtest:

    0.6

产品属性

  • 产品编号:

    2N5793

  • 制造商:

    Central Semiconductor Corp

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列

  • 包装:

    管件

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-78-6 金属罐

  • 供应商器件封装:

    TO-78-6

  • 描述:

    TRANSISTOR DUAL TO78

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更多2N5793供应商 更新时间2026-1-17 8:58:00