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2N5796	文件：52.73 Kbytes Page：1 Pages	Dual Transistors Dual Transistors PD@ TA=25°C=600mW Total (Both Die Equal Power) 文件：52.73 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N5796	文件：127.41 Kbytes Page：2 Pages	PNP DUAL SILICON TRANSISTOR PNP DUAL SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/496 文件：127.41 Kbytes 页数：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
2N5796	文件：191.92 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOINT DUAL PNP TRANSISTOR 文件：191.92 Kbytes 页数：2 Pages	OPTEK	OPTEK
2N5796	文件：777.48 Kbytes Page：12 Pages	Medium Current General Purpose Amplifiers and Switches 文件：777.48 Kbytes 页数：12 Pages	RAYTHEON 雷神	RAYTHEON
2N5796	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP Silicon Daul -60V, -0.6A This specification covers the performance requirements for two electrically isolated, PNP silicon, 2N5795 and 2N5796 unitized, dual 2N2907A transistors as one dual unit for high speed saturated switching applications. Both matched and unmatched types are covered. Four levels of product assurance (JA	Microchip 微芯科技	Microchip
2N5796	文件：300 bytes Page：1 Pages	Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) Dual PNP General Purpose Amplifier/Switch	Central	Central
2N5796	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-78-6 金属罐；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列描述：TRANS 2PNP 600MA 60V TO78-6	CENTRAL	CENTRAL
2N5796	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：NPN TRANSISTOR	MICROCHIP 微芯科技	MICROCHIP
2N5796U	文件：127.41 Kbytes Page：2 Pages	PNP DUAL SILICON TRANSISTOR PNP DUAL SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/496 文件：127.41 Kbytes 页数：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
2N5796U	文件：454.76 Kbytes Page：3 Pages	Surface Mount Dual PNP Transistor Description: The 2N5796U (TX, TXV) are hermetically sealed, ceramic surface mount devices, consisting of two individual silicon PNP transistors. The six pin ceramic package is ideal for designs where board space and device weight are important design considerations. Features: ● Ceramic 6 pin su 文件：454.76 Kbytes 页数：3 Pages	TTELEC	TTELEC

晶体管资料

型号：
2N5796
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
差分放大器射极输出（Dual）_开关管（S）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
0.6A
最大工作频率：
>200MHZ
引脚数：
6
可代换的型号：
BFX11,2N4015,2N4016,
最大耗散功率：
0.6W
放大倍数：
图片代号：
D-52
vtest：
60
htest：
200000100
atest：
0.6
wtest：
0.6

产品属性

产品编号：
2N5796
制造商：
Central Semiconductor Corp
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列
包装：
管件
晶体管类型：
2 PNP（双）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
600mA
电压 - 集射极击穿（最大值）：
60V
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 150mA，10V
功率 - 最大值：
600mW
频率 - 跃迁：
200MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-78-6 金属罐
供应商器件封装：
TO-78-6
描述：
TRANS 2PNP 600MA 60V TO78-6

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