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2N5796中文资料Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) Dual PNP General Purpose Amplifier/Switch数据手册Central规格书

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厂商型号

2N5796

参数属性

2N5796 封装/外壳为TO-78-6 金属罐;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-阵列;产品描述:TRANS 2PNP 600MA 60V TO78-6

功能描述

Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) Dual PNP General Purpose Amplifier/Switch
TRANS 2PNP 600MA 60V TO78-6

封装外壳

TO-78-6 金属罐

制造商

Central Central Semiconductor Corp

中文名称

美国中央半导体

数据手册

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更新时间

2026-2-10 8:02:00

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晶体管资料

  • 型号:

    2N5796

  • 别名:

    2N5796三极管、2N5796晶体管、2N5796晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性质:

    差分放大器射极输出 (Dual)_开关管 (S)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    60V

  • 最大电流允许值:

    0.6A

  • 最大工作频率:

    >200MHZ

  • 引脚数:

    6

  • 可代换的型号:

    BFX11,2N4015,2N4016,

  • 最大耗散功率:

    0.6W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    D-52

  • vtest:

    60

  • htest:

    200000100

  • atest:

    0.6

  • wtest:

    0.6

2N5796规格书详情

简介

2N5796属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-阵列。由Central制造生产的2N5796晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列双极晶体管阵列在同一封装中包含两个或更多的分立晶体管,这些晶体管可在电气上完全隔离,也可在器件封装内部以某种形式互连。阵列中包含的器件具有相近或互补的特性,采用共同封装可最大程度减小器件在工作过程中的温差。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :2N5796

  • 生产厂家

    :Central

  • Case

    :TO-78

  • Configuration/ Description

    :Dual PNP General Purpose Amplifier/Switch

  • Polarity

    :2XPNP

  • IC MAX

    :600mA

  • PD MAX

    :500mW

  • VCEO MAX

    :60V

  • hFE MIN

    :100

  • hFE MAX

    :300

  • @VCE

    :10V

  • VCE(SAT) MAX

    :400mV

  • @IC

    :150mA

  • @IB

    :15mA

  • Cob TYP

    :-

  • Cob MAX

    :8pF

  • fT TYP

    :-

  • fT MIN

    :200MHz

  • NF MAX

    :-

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