2N5796中文资料Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) Dual PNP General Purpose Amplifier/Switch数据手册Central规格书
| 厂商型号 |
2N5796 |
| 参数属性 | 2N5796 封装/外壳为TO-78-6 金属罐；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-阵列；产品描述：TRANS 2PNP 600MA 60V TO78-6 |
| 功能描述 | Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) Dual PNP General Purpose Amplifier/Switch |
| 封装外壳 | TO-78-6 金属罐 |
| 制造商 | Central Central Semiconductor Corp |
| 中文名称 | 美国中央半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-23 12:00:00 |
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2N5796规格书详情
简介
2N5796属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-阵列。由制造生产的2N5796晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列双极晶体管阵列在同一封装中包含两个或更多的分立晶体管，这些晶体管可在电气上完全隔离，也可在器件封装内部以某种形式互连。阵列中包含的器件具有相近或互补的特性，采用共同封装可最大程度减小器件在工作过程中的温差。
技术参数
更多- 制造商编号
：2N5796
- 生产厂家
：Central
- Case
：TO-78
- Configuration/ Description
：Dual PNP General Purpose Amplifier/Switch
- Polarity
：2XPNP
- IC MAX
：600mA
- PD MAX
：500mW
- VCEO MAX
：60V
- hFE MIN
：100
- hFE MAX
：300
- @VCE
：10V
- VCE(SAT) MAX
：400mV
- @IC
：150mA
- @IB
：15mA
- Cob TYP
：-
- Cob MAX
：8pF
- fT TYP
：-
- fT MIN
：200MHz
- NF MAX
：-
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