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2N585	文件：2.44311 Mbytes Page：6 Pages	GERMANIUM PNP TRANSISTORS 文件：2.44311 Mbytes 页数：6 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N585	文件：169.34 Kbytes Page：1 Pages	GERMANIUM NPN LOW POWER TRANSISTORS 文件：169.34 Kbytes 页数：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N5854	文件：93.33 Kbytes Page：2 Pages	COLLECTOR CURRENT = 10 AMPS NPN TYPES [API ELECTRONICS, INC.] COLLECTOR CURRENT = 10 AMPS NPN TYPES 文件：93.33 Kbytes 页数：2 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N5859	文件：56.45 Kbytes Page：1 Pages	Small Signal Transistors 文件：56.45 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N5859	文件：79.05 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N5859 is an NPN silicon coire driver transistor manufactured by the epitaxial planar process designed for high current and high speed switching applications. 文件：79.05 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N5854	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 80V 10A 3-Pin TO-61	NJS 新泽西半导体	NJS
2N5859	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 40V 2A 3-Pin TO-39 Box	NJS 新泽西半导体	NJS
2N5853	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-211MA，TO-210AC，TO-61-4，接线柱；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：POWER BJT	MICROCHIP 微芯科技	MICROCHIP
2N5854	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-211MA，TO-210AC，TO-61-4，接线柱；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：POWER BJT	MICROCHIP 微芯科技	MICROCHIP

晶体管资料

型号：
2N585
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
25V
最大电流允许值：
0.2A
最大工作频率：
5MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
ASY28,ASY29,ASY73,ASY74,ASY75,2N1304,3BX1D,
最大耗散功率：
0.12W
放大倍数：
图片代号：
D-9
vtest：
25
htest：
5000000
atest：
0.2
wtest：
0.12

技术参数

Maximum Power Dissipation：
115000mW
Maximum Emitter Base Voltage：
6V
Maximum DC Collector Current：
10A
Maximum Collector Emitter Voltage：
80V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
9@0.5mA@5mAV
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Power

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