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2N5823	文件：138.47 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARY SILICON AF MEDIUM POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARYSILICONAFMEDIUMPOWERTRANSISTORS	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
2N5823	文件：52.91 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N5820seriestypesareepoxymoldedcomplementarysiliconsmallsignaltransistorsmanufacturedbytheepitaxialplanarprocessdesignedforgeneralpurposeamplifierapplicationswhereahighcollectorcurrentratingisrequired. MARKINGCODE:FULLPARTN	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
2N5823	文件：142.16 Kbytes Page：1 Pages	SILICON TRANSISTORS SiliconTransistor Thesesilicon,planar,passivated,epitaxialtransistorsareintendedtosatisfyawiderangegeneralpurposeapplicationsataudiolowandintermediatefrequencies.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI

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COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS

DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N5820seriestypesareepoxymoldedcomplementarysiliconsmallsignaltransistorsmanufacturedbytheepitaxialplanarprocessdesignedforgeneralpurposeamplifierapplicationswhereahighcollectorcurrentratingisrequired. MARKINGCODE:FULLPARTN

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

Central

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SILICON TRANSISTORS

SiliconTransistor Thesesilicon,planar,passivated,epitaxialtransistorsareintendedtosatisfyawiderangegeneralpurposeapplicationsataudiolowandintermediatefrequencies.

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI

详细参数

型号：
2N5823
功能描述：
两极晶体管 - BJT Small Signal Transistor
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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