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2N5812

COMPLEMENTARY SILICON AF MEDIUM POWER TRANSISTOR

COMPLEMENTARYSILICONAFMEDIUMPOWERTRANSISTOR

MICRO-ELECTRONICS

Micro Electronics

2N5812

SI NPN LO-PWR BJT

SERIES2NTRANSISTORS

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

2N5812

SERIES 2N TRANSISTORS

SERIES2NTRANSISTORS

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

2N5812

Trans GP BJT NPN 25V;

NJS

New Jersey Semiconductor

技术参数

  • Maximum Transition Frequency:

    135(Min)MHz

  • Maximum Power Dissipation:

    500mW

  • Maximum Emitter Base Voltage:

    5V

  • Maximum Collector Emitter Voltage:

    25V

  • Maximum Collector Emitter Saturation Voltage:

    0.75@500mAV

  • Maximum Collector Base Voltage:

    35V

  • Configuration:

    Single

  • Category:

    Bipolar Small Signal

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多2N5812供应商 更新时间2025-7-28 16:19:00