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2N5770中文资料PDF规格书

2N5770
厂商型号

2N5770

参数属性

2N5770 封装/外壳为TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA);包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频;产品描述:RF TRANS NPN 15V TO92-3

功能描述

NPN RF Transistor

文件大小

298.3 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

Fairchild仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-2 15:24:00

晶体管资料

  • 型号:

    2N5770

  • 别名:

    2N5770三极管、2N5770晶体管、2N5770晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    超高频/特高频 (UHF)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    30V

  • 最大电流允许值:

    0.05A

  • 最大工作频率:

    >900MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BF377,BF378,BF689,BF763,BFR37,BFT17,BFW30,2N2857,3DG112D,

  • 最大耗散功率:

    0.7W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    A-31

  • vtest:

    30

  • htest:

    900000100

  • atest:

    .05

  • wtest:

    .7

产品属性

  • 产品编号:

    2N5770

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    15V

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    6dB @ 60MHz

  • 增益:

    15dB

  • 功率 - 最大值:

    350mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 8mA,10V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    50mA

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)

  • 供应商器件封装:

    TO-92-3

  • 描述:

    RF TRANS NPN 15V TO92-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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