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2N5686G

High-Current Complementary Silicon Power Transistors

These packages are designed for use in high-power amplifier and switching circuit applications. Features • High Current Capability - IC Continuous = 50 Amperes • DC Current Gain - hFE = 15-60 @ IC = 25 Adc • Low Collector-Emitter Saturation Voltage - VCE(sat) = 1.0 Vdc (Max) @ IC = 25 Adc •

文件:119.82 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2N5686G

Package:TO-204AE;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 80V 50A TO204

ONSEMI

安森美半导体

JAN2N5686

NPN POWER SILICON TRANSISTOR

NPN POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/464

文件:58.04 Kbytes 页数:2 Pages

MICROSEMI

美高森美

JANTX2N5686

NPN POWER SILICON TRANSISTOR

NPN POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/464

文件:58.04 Kbytes 页数:2 Pages

MICROSEMI

美高森美

JANTXV2N5686

NPN POWER SILICON TRANSISTOR

NPN POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/464

文件:58.04 Kbytes 页数:2 Pages

MICROSEMI

美高森美

产品属性

  • 产品编号:

    2N5686G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    5V @ 10A,50A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1mA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    15 @ 25A,2V

  • 频率 - 跃迁:

    2MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-204AE

  • 供应商器件封装:

    TO-204(TO-3)

  • 描述:

    TRANS NPN 80V 50A TO204

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
onsemi(安森美)
24+
TO-204
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TO-204(TO-3)
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更多2N5686G供应商 更新时间2026-4-17 15:52:00