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2N5883G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-204AA，TO-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 60V 25A TO204	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N5883	文件：190.04 Kbytes Page：2 Pages	POWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON ...designedforgeneral−purposepoweramplifierandswitchingapplications. Features •LowCollector−EmitterSaturationVoltage− VCE(sat)=1.0Vdc,(max)atIC=15Adc •LowLeakageCurrent-ICEX=1.0mAdc(Max) •ExcellentDCCurrentGain−hFE=20(Min)@IC=10Adc	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
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2N5883	文件：132.1 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-3package •Complementtotype2N58852N5886 •Highpowerdissipations APPLICATIONS •Theyareintendedforuseinpowerlinear andswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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产品属性

产品编号：
2N5883G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
4V @ 6.25A，25A
电流 - 集电极截止（最大值）：
2mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 10A，4V
频率 - 跃迁：
4MHz
工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-204AA，TO-3
供应商器件封装：
TO-204（TO-3）
描述：
TRANS PNP 60V 25A TO204

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