2N5883G分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

| 厂商型号 | 2N5883G | 
| 参数属性 | 2N5883G 封装/外壳为TO-204AA,TO-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 60V 25A TO204 | 
| 功能描述 | Complementary Silicon High?뭁ower Transistors | 
| 封装外壳 | TO-204AA,TO-3 | 
| 文件大小 | 94.94 Kbytes | 
| 页面数量 | 6 页 | 
| 生产厂商 | ONSEMI | 
| 中文名称 | 安森美半导体 | 
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-31 23:00:00 | 
| 人工找货 | 2N5883G价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 | 
2N5883G规格书详情
2N5883G属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由安森美半导体制造生产的2N5883G晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
Complementary silicon high−power transistors are designed for general−purpose power amplifier and switching applications.
特性 Features
• Low Collector−Emitter Saturation Voltage −
VCE(sat) = 1.0 Vdc, (max) at IC = 15 Adc
• Low Leakage Current
ICEX = 1.0 mAdc (max) at Rated Voltage
• Excellent DC Current Gain −
hFE = 20 (min) at IC = 10 Adc
• High Current Gain Bandwidth Product −
f = 4.0 MHz (min) at IC = 1.0 Adc
• Pb−Free Packages are Available*
产品属性
更多- 产品编号:2N5883G 
- 制造商:onsemi 
- 类别:分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 
- 包装:管件 
- 晶体管类型:PNP 
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):4V @ 6.25A,25A 
- 电流 - 集电极截止(最大值):2mA 
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):20 @ 10A,4V 
- 频率 - 跃迁:4MHz 
- 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 
- 安装类型:通孔 
- 封装/外壳:TO-204AA,TO-3 
- 供应商器件封装:TO-204(TO-3) 
- 描述:TRANS PNP 60V 25A TO204 
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| onsemi(安森美) | 24+ | TO-204 | 977 | 原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 | 询价 | ||
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