2N5883分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
2N5883规格书详情
General-Purpose Power Amplifier and Switching Applications
特性 Features
• Low Collector−Emitter Saturation Voltage −
VCE(sat) = 1.0 V (Max) @ IC = 15 A
• Excellent DC Current Gain −
hFE = 20 ~ 100 @ IC = 10 A
产品属性
- 产品编号：
2N5883
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）
- 描述：
PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
TO204 |
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ON/安森美 |
24+ |
TO-3 |
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TO-3 |
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