| 零件编号 | 下载&订购 | 功能描述 | 制造商&上传企业 | LOGO |
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2N5883 | POWER TRANSISTORS(25A,200W) General-PurposePowerAmplifierandSwitchingApplications Features •LowCollector−EmitterSaturationVoltage− VCE(sat)=1.0V(Max)@IC=15A •ExcellentDCCurrentGain− hFE=20~100@IC=10A | MOSPEC MOSPEC |  | |
2N5883 | COMPLEMENTARY SILICON HIGH-POWER TRANSISTORS General-PurposePowerAmplifierandSwitchingApplications Features •LowCollector−EmitterSaturationVoltage− VCE(sat)=1.0V(Max)@IC=15A •ExcellentDCCurrentGain− hFE=20~100@IC=10A | bocaBoca semiconductor corporation 博卡博卡半导体公司 |  | |
2N5883 | Power Transistors PowerTransistors | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 |  | |
2N5883 | Complementary Silicon High?뭁ower Transistors Complementarysiliconhigh−powertransistorsaredesignedforgeneral−purposepoweramplifierandswitchingapplications. Features •LowCollector−EmitterSaturationVoltage− VCE(sat)=1.0Vdc,(max)atIC=15Adc •LowLeakageCurrent ICEX=1.0mAdc(max)atRatedVoltage •Excell | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 |  | |
2N5883 | Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-3package •Complementtotype2N58852N5886 •Highpowerdissipations APPLICATIONS •Theyareintendedforuseinpowerlinear andswitchingapplications | SAVANTIC Savantic, Inc. |  | |
2N5883 | Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-3package •Complementtotype2N58852N5886 APPLICATIONS •Theyareintendedforuseinpowerlinear andswitchingapplications | JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 泉州锦美泉州锦美电子有限公司 |  | |
2N5883 | Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-3package •Complementtotype2N58852N5886 •Highpowerdissipations APPLICATIONS •Theyareintendedforuseinpowerlinear andswitchingapplications | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | |
2N5883 | Supply management DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N5883,2N5885seriestypesarecomplementarysiliconepitaxialbasetransistorsdesignedforpoweramplifierandswitchingapplications. | CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体 |  | |
2N5883 | POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON ...designedforgeneral−purposepoweramplifierandswitchingapplications. Features •LowCollector−EmitterSaturationVoltage− VCE(sat)=1.0Vdc,(max)atIC=15Adc •LowLeakageCurrent-ICEX=1.0mAdc(Max) •ExcellentDCCurrentGain−hFE=20(Min)@IC=10Adc | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司 |  | |
2N5883 | Silicon PNP Power Transistors | SAVANTIC Savantic, Inc. | | |
2N5883 | Silicon PNP Power Transistors | JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 泉州锦美泉州锦美电子有限公司 | | |
2N5883 | SILICON EPITAXIAL PNP TRANSISTOR | SEME-LAB Seme LAB |  | |
2N5883 | 包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP | MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司 |  | |
Complementary Silicon High?뭁ower Transistors Complementarysiliconhigh−powertransistorsaredesignedforgeneral−purposepoweramplifierandswitchingapplications. Features •LowCollector−EmitterSaturationVoltage− VCE(sat)=1.0Vdc,(max)atIC=15Adc •LowLeakageCurrent ICEX=1.0mAdc(max)atRatedVoltage •Excell | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | ||
Silicon PNP Power Transistors | JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 泉州锦美泉州锦美电子有限公司 | | ||
包装：管件 封装/外壳：TO-204AA，TO-3 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS PNP 60V 25A TO204 | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
60V
- 最大电流允许值：
25A
- 最大工作频率：
>4MHZ
- 引脚数：
2
- 可代换的型号：
BD367,BD369,MJ4502,2N4399,2N5683,2N6377,
- 最大耗散功率：
200W
- 放大倍数：
- 图片代号：
E-44
- vtest：
60
- htest：
4000100
- atest：
25
- wtest：
200
产品属性
- 产品编号：
2N5883
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）
- 描述：
PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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