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2N5632	文件：84.4 Kbytes Page：1 Pages	SILICON POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N5632, 2N6229 series types are complementary silicon power transistors manufactured by the epitaxial base process mounted in a hermetically sealed metal case designed for high power amplifier and switching applications where high voltages are required. 文件：84.4 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N5632	文件：93.33 Kbytes Page：2 Pages	COLLECTOR CURRENT = 10 AMPS NPN TYPES [API ELECTRONICS, INC.] COLLECTOR CURRENT = 10 AMPS NPN TYPES 文件：93.33 Kbytes 页数：2 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N5632	文件：131.11 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3 package ·Low collector saturation voltage ·High DC current gain APPLICATIONS ·For general-purpose power amplifier and switching applications 文件：131.11 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N5632	文件：109 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3 package ·Low collector-emitter saturation voltage APPLICATIONS ·For general-purpose power amplifier and switching applications 文件：109 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2N5632	文件：156.68 Kbytes Page：1 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS HIGH VOLTAGE HIGH POWER SILICON TRANSISTORS 10 AMPERE COMPLMEMTARY SILICON POWER TRANSISTORS 100-120-140 VOLTS 150 WATTS 文件：156.68 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N5632	文件：111.79 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3 package ·Low collector saturation voltage ·High DC current gain APPLICATIONS ·For general-purpose power amplifier and switching applications 文件：111.79 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N5632	文件：113.37 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：113.37 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N5632	文件：11.3 Kbytes Page：1 Pages	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package 文件：11.3 Kbytes 页数：1 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
2N5632	文件：109 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：109 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2N5632	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 100V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-3 Sleeve	NJS	NJS

晶体管资料

型号：
2N5632
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
10A
最大工作频率：
>1MHZ
引脚数：
2
可代换的型号：
BD317,BDX40,BDX50,BDX60,BDY57,BDY76,2N3772,2N3773,2SC2608,3DD71D,
最大耗散功率：
150W
放大倍数：
图片代号：
E-44
vtest：
100
htest：
1000100
atest：
10
wtest：
150

产品属性

产品编号：
2N5632
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-204AA，TO-3
供应商器件封装：
TO-204AD（TO-3）
描述：
POWER BJT

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2N5632供应商更新时间2026-1-17 16:30:00

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