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2N5552 | COLLECTOR CURRENT = 10 AMPS NPN TYPES [API ELECTRONICS, INC.] COLLECTOR CURRENT = 10 AMPS NPN TYPES 文件:93.33 Kbytes 页数:2 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | ETC | |
2N5552 | POWER TRANSISTOR POWER TRANSISTOR 10 Amp, 120 V, Planar NPN 文件:161.31 Kbytes 页数:2 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | NJSEMI | |
2N5552 | PNP Transistor | Microchip 微芯科技 | Microchip | |
2N5552 | Package:TO-205AA,TO-5-3 金属罐;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:POWER BJT | MICROCHIP 微芯科技 | MICROCHIP |
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Si-NPN
- 性质:
开关管 (S)_功率放大 (L)
- 封装形式:
直插封装
- 极限工作电压:
120V
- 最大电流允许值:
10A
- 最大工作频率:
>30MHZ
- 引脚数:
3
- 可代换的型号:
BLX16,BUX49,BUX59,BUY82,2SC2527,3DK106E,
- 最大耗散功率:
15W
- 放大倍数:
- 图片代号:
C-62
- vtest:
120
- htest:
30000100
- atest:
10
- wtest:
15
产品属性
- 产品编号:
2N5552
- 制造商:
Microchip Technology
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
散装
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
500mV @ 500µA, 5mA
- 工作温度:
-65°C ~ 200°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-205AA,TO-5-3 金属罐
- 供应商器件封装:
TO-5AA
- 描述:
POWER BJT
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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