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2N5642	文件：22.32 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI 2N5642 is Designed for 28 V Large Signal Class C Amplifier Applications up to 175 MHz. FEATURES INCLUDE: • Emitter Ballasting • Gold Metalization • 3/8 SOE Stud Package 文件：22.32 Kbytes 页数：1 Pages	ASI	ASI
2N5642	文件：245.31 Kbytes Page：3 Pages	silicon transistors UHF/VHF power transistors silicon transistors UHF/VHF power transistors NPN type germanium transistors diffused-base MESA transistors ultra-high-speed switching 文件：245.31 Kbytes 页数：3 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N5642	文件：163.67 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON RF POWER TRANSISROT NPN SILICON RF POWER TRANSISRTOR . . . designed primarily for wideband large-signal amplifier stages in the 125-175 MHz frequency range. 文件：163.67 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N5642	文件：182.52 Kbytes Page：2 Pages	7W / 20W / 40W, 28V, VHF POWER TRANSISTOR Description: These SSM devices are epitaxial silicon NPN-planar transistors designed primarily for 12.5 volt AM class C rf amplifiers functional in the aviation band 118-136 MHz and for 28V FM class C rf amplifers utilized in ground station transmitters. These devices utilize ballasted emitter re 文件：182.52 Kbytes 页数：2 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
2N5642	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 35V 3A 4-Pin Style M135	NJS	NJS

晶体管资料

型号：
2N5642
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
甚高频（VHF）_功率放大（L）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
65V
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
175MHZ
引脚数：
4
可代换的型号：
BLY93,2SC2888,3DA95C,
最大耗散功率：
20W
放大倍数：
图片代号：
G-127
vtest：
65
htest：
175000000
atest：
3
wtest：
20

技术参数

Output Power：
20(Min)W
Number of Elements per Chip：
1
Minimum Operating Temperature：
-65°C
Minimum DC Current Gain：
5@200mA@5V
Maximum Operating Temperature：
200°C
Maximum Emitter Base Voltage：
4V
Maximum DC Collector Current：
3A
Maximum Collector Emitter Voltage：
35V
Maximum Collector Base Voltage：
65V
Configuration：
Single Dual Emitter

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更多2N5642供应商更新时间2026-1-17 16:03:00

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