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2N5551RLRPG

Amplifier Transistors NPN Silicon

文件:88.88 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2N5551RLRPG

Package:TO-226-3,TO-92-3 长基体(成形引线);包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 160V 0.6A TO92

ONSEMI

安森美半导体

2N5551S

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR

文件:39.29 Kbytes 页数:2 Pages

KEC

KEC(Korea Electronics)

2N5551S

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, HIGH VOLTAGE)

GENERAL PURPOSE APPLICATION. HIGH VOLTAGE APPLICATION. FEATURES • High Collector Breakdwon Voltage : VCBO=180V, VCEO=160V • Low Leakage Current. : ICBO=50nA(Max.) VCB=120V • Low Saturation Voltage : VCE(sat)=0.2V(Max.) IC=50mA, IB=5mA • Low Noise : NF=8dB (Max.)

文件:150.05 Kbytes 页数:2 Pages

KEC

KEC(Korea Electronics)

2N5551S

High Voltage Transistors

High Voltage Transistors FEATURE • Pb-Free package is available.

文件:1.21154 Mbytes 页数:5 Pages

FS

产品属性

  • 产品编号:

    2N5551RLRPG

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    管件

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    200mV @ 5mA,50mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    50nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    80 @ 10mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    300MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-226-3,TO-92-3 长基体(成形引线)

  • 供应商器件封装:

    TO-92(TO-226)

  • 描述:

    TRANS NPN 160V 0.6A TO92

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多2N5551RLRPG供应商 更新时间2025-10-16 10:18:00