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2N5551-TA	文件：1.44581 Mbytes Page：5 Pages	TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors Features GeneralPurposeSwitchingApplication	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
2N5551	文件：131.37 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconExpitaxialPlanarTransistorforgeneralpurpose,highvoltageamplifierapplications???? NPNSiliconExpitaxialPlanarTransistorforgeneralpurpose,highvoltageamplifierapplications.	SEMTECH Semtech Corporation	SEMTECH
2N5551	文件：222.18 Kbytes Page：5 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier Description Thisdeviceisdesignedforgeneral-purposehigh-voltageamplifiersandgasdischargedisplaydrivers.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N5551	文件：165.17 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARYSILICONGENERALPURPOSEHIGHVOLTAGETRANSISTORS 2N5400,2N5401-->PNP 2N5550,2N5551-->NPN	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
2N5551	文件：59.95 Kbytes Page：1 Pages	SmallSignalTransistorsTO-92Case(Continued) DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N4400and2N4401aresiliconNPNtransistorsdesignedforgeneralpurposeamplifierandswitchingapplications.PNPcomplementarytypesare2N4402and2N4403. MARKING:FULLPARTNUMBER	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
2N5551	文件：146.1 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(GENERALPURPOSE,HIGHVOLTAGE) GENERALPURPOSEAPPLICATION. HIGHVOLTAGEAPPLICATION. FEATURES HighCollectorBreakdwonVoltage :VCBO=180V,VCEO=160V LowLeakageCurrent. :ICBO=50nA(Max.),VCB=120V LowSaturationVoltage :VCE(sat)=0.2V(Max.),IC=50mA,IB=5mA LowNoise:NF=8dB(Max.)	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
2N5551	文件：188.13 Kbytes Page：6 Pages	AmplifierTransistors AmplifierTransistors NPNSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
2N5551	文件：171.22 Kbytes Page：4 Pages	NPNTransistors NPNTransistors P/bLead(Pb)-Free	WEITRONWEITRON 威堂電子科技	WEITRON
2N5551	文件：47.05 Kbytes Page：1 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier FEATURES&USE ★HighCollectorBreakdownVoltage;LowNoise; ★Complementaryto2N5401 ★Thisdeviceisdesignedasageneralpurposeamplifierandswitchforapplicationsrequiringhighvoltages.	AVICTEKAvic Technology Avic Technology	AVICTEK
2N5551	文件：106.28 Kbytes Page：2 Pages	GeneralPurposeSi-EpitaxialPlanarTransistors •Powerdissipation625mW •PlasticcaseTO-92 •Weightapprox.0.18g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedinammopack	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
2N5551	文件：188.13 Kbytes Page：6 Pages	mplifierTransistors(NPNSilicon) AmplifierTransistors NPNSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N5551	文件：207.83 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconGeneralPurposeTransistor FEATURES Switchingandamplificationinhighvoltage Lowcurrent(max.600mA) *Highvoltage(max.180v)	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
2N5551	文件：693.07 Kbytes Page：1 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors Features •Pb−FreePackagesareAvailable* •DeviceMarking:DeviceType,e.g.,2N5550,DateCode	DAYADaya Electric Group Co., Ltd. Daya Electric Group Co., Ltd.	DAYA
2N5551	文件：214.49 Kbytes Page：3 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifierTransistor Features •Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposehighvoltageamplifiersandgasdischargedisplaydrivers. •CaseMaterial:MoldedPlastic.ULFlammabilityClassificationRating94V-0andMSLrating1 •Marking:Typenumber •LeadFreeFinish/RohsCompliant(PSuffixdesignatesCo	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
2N5551	文件：83.22 Kbytes Page：6 Pages	AmplifierTransistors Features •Pb−FreePackagesareAvailable* •DeviceMarking:DeviceType,e.g.,2N5550,DateCode	DAYADaya Electric Group Co., Ltd. Daya Electric Group Co., Ltd.	DAYA
2N5551	文件：30.35 Kbytes Page：1 Pages	TO-92PACKAGE	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
2N5551	文件：57.29 Kbytes Page：2 Pages	NPNEPITAXIALPLANARSILICONHIGHVOLTAGETRANSISTOR NPNEPITAXIALPLANARSILICONHIGHVOLTAGETRANSISTOR HighVoltageNPNTransistorForGeneralPurposeAndTelephonyApplications.	bocaBoca semiconductor corporation 博卡博卡半导体公司	boca
2N5551	文件：199.92 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconTransistor(GeneralpurposeamplifierHighvoltageapplication) Descriptions •Generalpurposeamplifier •Highvoltageapplication Features •Highcollectorbreakdownvoltage:VCBO=180V,VCEO=160V •Lowcollectorsaturationvoltage:VCE(sat)=0.5V(MAX.) •Complementarypairwith2N5401	AUK AUK	AUK
2N5551	文件：66.71 Kbytes Page：2 Pages	TO-92Plastic-EncapsulatedTransistors FEATURES Powerdissipation PCM:0.625W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.6A Collector-basevoltage V(BR)CBO:180V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
2N5551	文件：71.63 Kbytes Page：6 Pages	AmplifierTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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艾睿国际（香港）有限公司	2N5551-TA	CJ(江苏长电/长晶)	2112+	TO-92_Forming1	105000	2000个/盒一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长	询价
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更多2N5551-T供应商更新时间2024-5-1 15:00:00

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