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2N5551	文件：1.44581 Mbytes Page：5 Pages	丝印：2N5551；Package：TO-92；TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors Features General Purpose Switching Application 文件：1.44581 Mbytes 页数：5 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
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2N5551BU	文件：323.78 Kbytes Page：11 Pages	丝印：5551；Package：TO-923L；NPN General-Purpose Amplifier Description This device is designed for general-purpose high-voltage amplifiers and gas discharge display drivers. 文件：323.78 Kbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N5551	文件：323.78 Kbytes Page：11 Pages	NPN General-Purpose Amplifier Description This device is designed for general-purpose high-voltage amplifiers and gas discharge display drivers. 文件：323.78 Kbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N5551	文件：57.29 Kbytes Page：2 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON HIGH VOLTAGE TRANSISTOR NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON HIGH VOLTAGE TRANSISTOR High Voltage NPN Transistor For General Purpose And Telephony Applications. 文件：57.29 Kbytes 页数：2 Pages	BOCA 博卡	BOCA
2N5551	文件：222.18 Kbytes Page：5 Pages	NPN General Purpose Amplifier Description This device is designed for general-purpose high-voltage amplifiers and gas discharge display drivers. 文件：222.18 Kbytes 页数：5 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
2N5551	文件：188.13 Kbytes Page：6 Pages	mplifier Transistors(NPN Silicon) Amplifier Transistors NPN Silicon Features • Pb−Free Packages are Available* 文件：188.13 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
2N5551
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
视频输出（Vid）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
180V
最大电流允许值：
0.6A
最大工作频率：
>100MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BF391,BF392,BF393,BFP22,BSS48,HY5551,MPS-A42,MPS-A43,2N3440,3DA87C,3DG84G,
最大耗散功率：
0.625W
放大倍数：
图片代号：
A-31
vtest：
180
htest：
100000100
atest：
0.6
wtest：
0.625

详细参数

型号：
2N5551
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN Gen Pur SS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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