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2N5551	文件：1.44581 Mbytes Page：5 Pages	丝印：2N5551；Package：TO-92；TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors Features General Purpose Switching Application 文件：1.44581 Mbytes 页数：5 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
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2N5551BU	文件：323.78 Kbytes Page：11 Pages	丝印：5551；Package：TO-923L；NPN General-Purpose Amplifier Description This device is designed for general-purpose high-voltage amplifiers and gas discharge display drivers. 文件：323.78 Kbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N5551F	文件：222.58 Kbytes Page：2 Pages	丝印：HG1B；Package：SOT-89；TRANSISTOR (NPN) 文件：222.58 Kbytes 页数：2 Pages	FS	FS
2N5551	文件：323.78 Kbytes Page：11 Pages	NPN General-Purpose Amplifier Description This device is designed for general-purpose high-voltage amplifiers and gas discharge display drivers. 文件：323.78 Kbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N5551	文件：257.39 Kbytes Page：3 Pages	Bipolar Transistor Description Transistor, NPN, 0.6A, 160V, TO-92 文件：257.39 Kbytes 页数：3 Pages	MULTICOMP 易络盟	MULTICOMP
2N5551	文件：131.37 Kbytes Page：2 Pages	NPN Silicon Expitaxial Planar Transistor for general purpose, high voltage amplifier applications???? NPN Silicon Expitaxial Planar Transistor for general purpose, high voltage amplifier applications. 文件：131.37 Kbytes 页数：2 Pages	SEMTECH 先之科	SEMTECH

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详细参数

型号：
2N5551
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN Gen Pur SS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市乐创天科技有限公司	2N5551	FSC	2012	TO-92	244	全新原装正品现货	询价
标准国际(香港)有限公司	2N5551		2015+		100	公司现货库存	询价
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深圳市正纳电子有限公司	2N5551	CJ长电/长晶	ROHS/new original	TO-92	10500	原装元器件供应现货支持。咨询更多现货库存,支持样	询价
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更多2N5551供应商更新时间2025-9-19 9:05:00

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