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2N5551G	文件：88.88 Kbytes Page：6 Pages	Amplifier Transistors NPN Silicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N5551G	文件：71.63 Kbytes Page：6 Pages	Amplifier Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N5551G	文件：300 bytes Page：1 Pages	三极管 / 晶体管;	FirstFirst Silicon Co., Ltd 福斯特	First
2N5551G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3 长体；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 160V 0.6A TO92	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N5551G-x-251	文件：215.7 Kbytes Page：3 Pages	HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
2N5551G-X-AB3-R	文件：213.22 Kbytes Page：4 Pages	HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2N5551G-x-AB3-R	文件：215.7 Kbytes Page：3 Pages	HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
2N5551G-X-T92-A-B	文件：213.22 Kbytes Page：4 Pages	HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
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产品属性

产品编号：
2N5551G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
200mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 10mA，5V
频率 - 跃迁：
300MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 长体
供应商器件封装：
TO-92（TO-226）
描述：
TRANS NPN 160V 0.6A TO92

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更多2N5551G供应商更新时间2025-7-30 11:15:00

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