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2N5551RLRA	文件：71.63 Kbytes Page：6 Pages	Amplifier Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N5551RLRA	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 长基体（成形引线）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 160V 0.6A TO92	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N5551RLRAG	文件：88.88 Kbytes Page：6 Pages	Amplifier Transistors NPN Silicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N5551RLRAG	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 长基体（成形引线）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 160V 0.6A TO92	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N5551	文件：131.37 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconExpitaxialPlanarTransistorforgeneralpurpose,highvoltageamplifierapplications???? NPNSiliconExpitaxialPlanarTransistorforgeneralpurpose,highvoltageamplifierapplications.	SEMTECH Semtech Corporation	SEMTECH
2N5551	文件：222.18 Kbytes Page：5 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier Description Thisdeviceisdesignedforgeneral-purposehigh-voltageamplifiersandgasdischargedisplaydrivers.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N5551	文件：146.1 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(GENERALPURPOSE,HIGHVOLTAGE) GENERALPURPOSEAPPLICATION. HIGHVOLTAGEAPPLICATION. FEATURES HighCollectorBreakdwonVoltage :VCBO=180V,VCEO=160V LowLeakageCurrent. :ICBO=50nA(Max.),VCB=120V LowSaturationVoltage :VCE(sat)=0.2V(Max.),IC=50mA,IB=5mA LowNoise:NF=8dB(Max.)	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
2N5551	文件：165.17 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARYSILICONGENERALPURPOSEHIGHVOLTAGETRANSISTORS 2N5400,2N5401-->PNP 2N5550,2N5551-->NPN	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
2N5551	文件：59.95 Kbytes Page：1 Pages	SmallSignalTransistorsTO-92Case(Continued) DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N4400and2N4401aresiliconNPNtransistorsdesignedforgeneralpurposeamplifierandswitchingapplications.PNPcomplementarytypesare2N4402and2N4403. MARKING:FULLPARTNUMBER	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
2N5551	文件：188.13 Kbytes Page：6 Pages	AmplifierTransistors AmplifierTransistors NPNSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
2N5551	文件：171.22 Kbytes Page：4 Pages	NPNTransistors NPNTransistors P/bLead(Pb)-Free	WEITRONWEITRON 威堂電子科技	WEITRON
2N5551	文件：47.05 Kbytes Page：1 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier FEATURES&USE ★HighCollectorBreakdownVoltage;LowNoise; ★Complementaryto2N5401 ★Thisdeviceisdesignedasageneralpurposeamplifierandswitchforapplicationsrequiringhighvoltages.	AVICTEKAvic Technology Avic Technology	AVICTEK
2N5551	文件：106.28 Kbytes Page：2 Pages	GeneralPurposeSi-EpitaxialPlanarTransistors •Powerdissipation625mW •PlasticcaseTO-92 •Weightapprox.0.18g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedinammopack	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
2N5551	文件：188.13 Kbytes Page：6 Pages	mplifierTransistors(NPNSilicon) AmplifierTransistors NPNSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N5551	文件：207.83 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconGeneralPurposeTransistor FEATURES Switchingandamplificationinhighvoltage Lowcurrent(max.600mA) *Highvoltage(max.180v)	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
2N5551	文件：693.07 Kbytes Page：1 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors Features •Pb−FreePackagesareAvailable* •DeviceMarking:DeviceType,e.g.,2N5550,DateCode	DAYADaya Electric Group Co., Ltd. Daya Electric Group Co., Ltd.	DAYA
2N5551	文件：214.49 Kbytes Page：3 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifierTransistor Features •Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposehighvoltageamplifiersandgasdischargedisplaydrivers. •CaseMaterial:MoldedPlastic.ULFlammabilityClassificationRating94V-0andMSLrating1 •Marking:Typenumber •LeadFreeFinish/RohsCompliant(PSuffixdesignatesCo	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
2N5551	文件：83.22 Kbytes Page：6 Pages	AmplifierTransistors Features •Pb−FreePackagesareAvailable* •DeviceMarking:DeviceType,e.g.,2N5550,DateCode	DAYADaya Electric Group Co., Ltd. Daya Electric Group Co., Ltd.	DAYA
2N5551	文件：30.35 Kbytes Page：1 Pages	TO-92PACKAGE	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
2N5551	文件：57.29 Kbytes Page：2 Pages	NPNEPITAXIALPLANARSILICONHIGHVOLTAGETRANSISTOR NPNEPITAXIALPLANARSILICONHIGHVOLTAGETRANSISTOR HighVoltageNPNTransistorForGeneralPurposeAndTelephonyApplications.	bocaBoca semiconductor corporation 博卡博卡半导体公司	boca

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产品属性

产品编号：
2N5551RLRA
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
200mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 10mA，5V
频率 - 跃迁：
300MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 长基体（成形引线）
供应商器件封装：
TO-92（TO-226）
描述：
TRANS NPN 160V 0.6A TO92

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
艾睿国际（香港）有限公司	2N5551RLRA	ON/安森美	2021+	SMD	100500	一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货	询价
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深圳市吉银科技有限公司	2N5551RLRA	ONN	1535+		2000		询价
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深圳市一线半导体有限公司	2N5551RLRAG	ONSemiconductor	07+/08+	TO-92	12000		询价
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更多2N5551RLRA供应商更新时间2024-5-22 15:00:00

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