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2N5551TFR	文件：628.43 Kbytes Page：1 Pages	FAIRCHILDSmallSignalTransistors	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N5551YBU	文件：216.64 Kbytes Page：9 Pages	NPNGeneral-PurposeAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
G2N5551	文件：154.54 Kbytes Page：3 Pages	TheG2N5551isdesignedforgeneralpurposeswitchingandamplifierapplications.	ETLE-Tech Electronics LTD 亞歷電子亞歷電子有限公司	ETL
G2N5551	文件：152.82 Kbytes Page：3 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR	GTM 勤益投資控股股份有限公司	GTM
H2N5551	文件：37.78 Kbytes Page：4 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheH2N5551isdesignedforamplifiertransistor. Features •ComplementstoPNPTypeH2N5401 •HighCollector-EmitterBreakdownVoltage(VCEO>160V(@IC=1mA))	HSMC 华昕	HSMC
ST2N5551	文件：227.7 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistors NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistors forgeneralpurpose,highvoltageamplifierapplications. AscomplementarytypesthePNPtransistorsST2N5400andST2N5401arerecommended. Onspecialrequest,thesetransistorscanbemanufacturedindifferentpinconfigurations.	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
ST2N5551	文件：106.56 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistors NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistorsforgeneralpurpose,highvoltageamplifierapplications. AscomplementarytypesthePNPtransistorsST2N5400andST2N5401arerecommended. Onspecialrequest,thesetransistorscanbemanufacturedindifferentpinconfigurations.	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ

产品属性

产品编号：
2N5551RLRA
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
200mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 10mA，5V
频率 - 跃迁：
300MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 长基体（成形引线）
供应商器件封装：
TO-92（TO-226）
描述：
TRANS NPN 160V 0.6A TO92

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2N5551RLRA供应商更新时间2024-6-17 15:03:00

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