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2N5551	文件：1.44581 Mbytes Page：5 Pages	丝印：2N5551；Package：TO-92；TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors Features General Purpose Switching Application 文件：1.44581 Mbytes 页数：5 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
2N5551	文件：155.74 Kbytes Page：4 Pages	Small Signal High Voltage Transistor (NPN) Features • High Voltage NPN Transistor for General Purpose and Telephony Applications 文件：155.74 Kbytes 页数：4 Pages	TAITRON	TAITRON
2N5551	文件：51.04 Kbytes Page：3 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The 2N5551 is designed for amplifier transistor. Features • Complements to PNP Type 2N5401. • High Collector-Emitter Breakdown Voltage. VCEO>160V (@IC=1mA) 文件：51.04 Kbytes 页数：3 Pages	TGS	TGS
2N5551	文件：1.03569 Mbytes Page：4 Pages	NPN Transistor Bare Die General purpose high voltage amplifier or switch in bare die form Features High Collector Breakdown Voltage Low Collector Saturation Voltage Charac terized at temperature extremes High R eliability Gold Back Metal High Reliability tested grades for Military + Space 文件：1.03569 Mbytes 页数：4 Pages	SS	SS
2N5551	文件：2.55967 Mbytes Page：2 Pages	General Purpose Switching Application NPN Silicon Epitaxial Planar Transistors for general purpose, high voltage amplifier applications. As complementary types the PNP transistors ST 2N5400 and ST 2N5401 are recommended. On special request, these transistors can be manufactured in different pin configurations. 文件：2.55967 Mbytes 页数：2 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
2N5551	文件：214.49 Kbytes Page：3 Pages	NPN General Purpose Amplifier Transistor Features • This device is designed for general purpose high voltage amplifiers and gas discharge display drivers. • Case Material: Molded Plastic. UL Flammability Classification Rating 94V-0 and MSL rating 1 • Marking:Type number • Lead Free Finish/Rohs Compliant (PSuffix designates Co 文件：214.49 Kbytes 页数：3 Pages	MCC	MCC
2N5551	文件：188.13 Kbytes Page：6 Pages	Amplifier Transistors Amplifier Transistors NPN Silicon 文件：188.13 Kbytes 页数：6 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
2N5551	文件：131.37 Kbytes Page：2 Pages	NPN Silicon Expitaxial Planar Transistor for general purpose, high voltage amplifier applications???? NPN Silicon Expitaxial Planar Transistor for general purpose, high voltage amplifier applications. 文件：131.37 Kbytes 页数：2 Pages	SEMTECH 先之科	SEMTECH
2N5551	文件：257.39 Kbytes Page：3 Pages	Bipolar Transistor Description Transistor, NPN, 0.6A, 160V, TO-92 文件：257.39 Kbytes 页数：3 Pages	MULTICOMP 易络盟	MULTICOMP
2N5551	文件：171.22 Kbytes Page：4 Pages	NPN Transistors NPN Transistors P/b Lead(Pb)-Free 文件：171.22 Kbytes 页数：4 Pages	WEITRON	WEITRON

晶体管资料

型号：
2N5551
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
视频输出（Vid）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
180V
最大电流允许值：
0.6A
最大工作频率：
>100MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BF391,BF392,BF393,BFP22,BSS48,HY5551,MPS-A42,MPS-A43,2N3440,3DA87C,3DG84G,
最大耗散功率：
0.625W
放大倍数：
图片代号：
A-31
vtest：
180
htest：
100000100
atest：
0.6
wtest：
0.625

产品属性

产品编号：
2N5551
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
200mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 10mA，5V
频率 - 跃迁：
300MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 长体
供应商器件封装：
TO-92（TO-226）
描述：
TRANS NPN 160V 0.6A TO92

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更多2N5551供应商更新时间2026-1-20 9:03:00

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