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2N5551	文件：323.78 Kbytes Page：11 Pages	NPN General-Purpose Amplifier Description This device is designed for general-purpose high-voltage amplifiers and gas discharge display drivers. 文件：323.78 Kbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N5551	文件：53.44 Kbytes Page：4 Pages	HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR FEATURES * High collector-emitter voltage: VCEO=160V * High current gain APPLICATIONS * Telephone switching circuit * Amplifier 文件：53.44 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
2N5551	文件：2.695 Mbytes Page：4 Pages	TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR( NPN ) Features ● General Purpose Switching Application 文件：2.695 Mbytes 页数：4 Pages	HDSEMI 海德半导体	HDSEMI
2N5551	文件：142.18 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR (NPN) TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● General Purpose Switching Application 文件：142.18 Kbytes 页数：3 Pages	FS	FS
2N5551	文件：66.71 Kbytes Page：2 Pages	TO-92 Plastic-Encapsulated Transistors FEATURES Power dissipation PCM : 0.625 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: 0.6 A Collector-base voltage V(BR)CBO : 180 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：66.71 Kbytes 页数：2 Pages	TEL	TEL
2N5551	文件：71.63 Kbytes Page：6 Pages	Amplifier Transistors 文件：71.63 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N5551	文件：707.49 Kbytes Page：6 Pages	GENERAL PURPOSE TRANSISTORS 文件：707.49 Kbytes 页数：6 Pages	AITSEMI 创瑞科技	AITSEMI
2N5551	文件：215.7 Kbytes Page：3 Pages	HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR 文件：215.7 Kbytes 页数：3 Pages	BWTECH	BWTECH
2N5551	文件：284.91 Kbytes Page：3 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON HIGH VOLTAGE TRANSISTOR 文件：284.91 Kbytes 页数：3 Pages	CDIL	CDIL
2N5551	文件：141.01 Kbytes Page：2 Pages	General Purpose NPN Transistors 文件：141.01 Kbytes 页数：2 Pages	DIOTEC 德欧泰克	DIOTEC

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晶体管资料

型号：
2N5551
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
视频输出（Vid）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
180V
最大电流允许值：
0.6A
最大工作频率：
>100MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BF391,BF392,BF393,BFP22,BSS48,HY5551,MPS-A42,MPS-A43,2N3440,3DA87C,3DG84G,
最大耗散功率：
0.625W
放大倍数：
图片代号：
A-31
vtest：
180
htest：
100000100
atest：
0.6
wtest：
0.625

产品属性

产品编号：
2N5551
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
200mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 10mA，5V
频率 - 跃迁：
300MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 长体
供应商器件封装：
TO-92（TO-226）
描述：
TRANS NPN 160V 0.6A TO92

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更多2N5551供应商更新时间2026-1-20 16:00:00

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