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STGP100N30	文件：699.37 Kbytes Page：13 Pages	90 A - 330 V - fast IGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STGP100N30	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-220-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 330V 90A 250W TO220	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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IXFN100N30	文件：562.86 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelMOSFET DESCRIPTION ·DrainCurrent-ID=100A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage -VDSS=300V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=23mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·DC-DCconverters ·Batterychargers ·DCchoppers ·Lowvoltagerelays	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
RM100N30DF	文件：225.12 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司	RECTRON
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产品属性

产品编号：
STGP100N30
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
STripFET™
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.5V @ 15V，50A
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
-/134ns
测试条件：
180V，25A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
IGBT 330V 90A 250W TO220

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