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GW100N30	文件：699.37 Kbytes Page：13 Pages	90 A - 330 V - fast IGBT 文件：699.37 Kbytes 页数：13 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGW100N30	文件：699.37 Kbytes Page：13 Pages	丝印：GW100N30；Package：TO-247；90 A - 330 V - fast IGBT 文件：699.37 Kbytes 页数：13 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
IXFN100N30	文件：562.86 Kbytes Page：3 Pages	N-Channel MOSFET DESCRIPTION ·Drain Current -ID= 100A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 300V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 23mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS ·DC-DC converters ·Battery chargers ·DC choppers ·Low voltage relays 文件：562.86 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
RM100N30DF	文件：225.12 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：225.12 Kbytes 页数：7 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
STGF100N30	文件：699.37 Kbytes Page：13 Pages	90 A - 330 V - fast IGBT 文件：699.37 Kbytes 页数：13 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

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