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IXFN100N30

N-Channel MOSFET

DESCRIPTION ·Drain Current -ID= 100A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 300V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 23mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS ·DC-DC converters ·Battery chargers ·DC choppers ·Low voltage relays

文件:562.86 Kbytes 页数:3 Pages

ISC

无锡固电

RM100N30DF

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:225.12 Kbytes 页数:7 Pages

RECTRON

丽正国际

STGF100N30

90 A - 330 V - fast IGBT

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

STGP100N30

90 A - 330 V - fast IGBT

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

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更多IXFN100N30供应商 更新时间2026-1-30 15:30:00