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RM100N30DF

Marking:100N30;Package:DFN5X6-8L;N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

RECTRON

Rectron Semiconductor

GF100N30

90A-330V-fastIGBT

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

GP100N30

90A-330V-fastIGBT

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

GW100N30

90A-330V-fastIGBT

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

IXFN100N30

N-ChannelMOSFET

DESCRIPTION ·DrainCurrent-ID=100A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage -VDSS=300V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=23mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·DC-DCconverters ·Batterychargers ·DCchoppers ·Lowvoltagerelays

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

STGF100N30

90A-330V-fastIGBT

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STGP100N30

90A-330V-fastIGBT

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STGW100N30

90A-330V-fastIGBT

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

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更多RM100N30DF供应商 更新时间2025-5-24 11:06:00