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GP100N30

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Page：13 Pages

型号：STGP100N30；Package：TO-220；90 A - 330 V - fast IGBT

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS

详细参数

  • 型号：

    GP100N30

  • 功能描述：

    IGBT 晶体管 330volt 90 Amp

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO：

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压：

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压：

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流：

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封装/箱体：

    TO-247

  • 封装：

    Tube

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