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GP19NC60S	文件：423.41 Kbytes Page：15 Pages	型号：STGP19NC60S；Package：TO-220；20 A, 600 V fast IGBT Description ThisIGBTutilizestheadvancedPowerMESH™ processresultinginanexcellenttrade-off betweenswitchingperformanceandlowon-state behavior. Features ■Verylowon-voltagedrop(VCE(sat)) ■Minimumpowerlossesat5kHzinhard switching ■Optimizedperformanceformedium	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
GP19NC60SD	文件：535.58 Kbytes Page：15 Pages	型号：STGP19NC60SD；Package：TO-220；20 A, 600 V fast IGBT with Ultrafast diode	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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型号：STGP19NC60S；Package：TO-220；20 A, 600 V fast IGBT

Description ThisIGBTutilizestheadvancedPowerMESH™ processresultinginanexcellenttrade-off betweenswitchingperformanceandlowon-state behavior. Features ■Verylowon-voltagedrop(VCE(sat)) ■Minimumpowerlossesat5kHzinhard switching ■Optimizedperformanceformedium

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GP19NC60SD

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型号：STGP19NC60SD；Package：TO-220；20 A, 600 V fast IGBT with Ultrafast diode

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详细参数

型号：
GP19NC60S
功能描述：
IGBT 晶体管 N-chnl 600V-20A Med Freq
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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