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GP30NC60S	文件：497.21 Kbytes Page：15 Pages	型号：STGP30NC60S；Package：TO-220；30 A, 600 V, fast IGBT Features ■Optimizedperformanceformediumoperating frequenciesupto5kHzinhardswitching ■Lowon-voltagedrop(VCE(sat)) ■Highcurrentcapability Application Motordrive Description ThisdeviceutilizestheadvancedPowerMESH™ processresultinginanexcellenttrade-off betw	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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GP30NC60S

文件：497.21 Kbytes

Page：15 Pages

型号：STGP30NC60S；Package：TO-220；30 A, 600 V, fast IGBT

Features ■Optimizedperformanceformediumoperating frequenciesupto5kHzinhardswitching ■Lowon-voltagedrop(VCE(sat)) ■Highcurrentcapability Application Motordrive Description ThisdeviceutilizestheadvancedPowerMESH™ processresultinginanexcellenttrade-off betw

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
GP30NC60S
功能描述：
IGBT 晶体管 30A 600V FAST IGBT
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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