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GP7NC60H	文件：794.93 Kbytes Page：14 Pages	型号：STGP7NC60H；Package：TO-220；N-channel PowerMESH™ 600 V, 14 A very fast IGBT Description ThisdeviceisaveryfastIGBTdevelopedusing advancedPowerMESH™technology.This processguaranteesanexcellenttrade-off betweenswitchingperformanceandlowon-state behavior.Thisdeviceiswell-suitedforresonant orsoft-switchingapplications. Features Lowon-vo	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
GP7NC60HD	文件：430.39 Kbytes Page：15 Pages	型号：STGP7NC60HD；Package：TO-220；N-CHANNEL 14A - 600V - TO-220/TO-220FP/DPAK Very Fast PowerMESH IGBT GeneralFeatures ■LOWERON-VOLTAGEDROP(Vcesat) ■OFFLOSSESINCLUDETAILCURRENT ■LOSSESINCLUDEDIODERECOVERY ENERGY ■LOWERCRES/CIESRATIO ■HIGHFREQUENCYOPERATIONUPTO70 KHz ■VERYSOFTULTRAFASTRECOVERYANTI PARALLELDIODE ■NEWGENERATIONPRODUCTSWITH TIGHTERPARAMETER	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
GP7NC60HD	文件：1.36326 Mbytes Page：22 Pages	型号：STGP7NC60HD；Package：TO-220；N-channel 14 A, 600 V, very fast IGBT with Ultrafast diode Description ThesedevicesareveryfastIGBTdeveloped usingadvancedPowerMESH™technology.This processguaranteesanexcellenttrade-off betweenswitchingperformanceandlowon-state behavior.Thesedevicesarewell-suitedfor resonantorsoft-switchingapplications. Features ■Lowo	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团

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GP7NC60H

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型号：STGP7NC60H；Package：TO-220；N-channel PowerMESH™ 600 V, 14 A very fast IGBT

Description ThisdeviceisaveryfastIGBTdevelopedusing advancedPowerMESH™technology.This processguaranteesanexcellenttrade-off betweenswitchingperformanceandlowon-state behavior.Thisdeviceiswell-suitedforresonant orsoft-switchingapplications. Features Lowon-vo

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GP7NC60HD

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型号：STGP7NC60HD；Package：TO-220；N-CHANNEL 14A - 600V - TO-220/TO-220FP/DPAK Very Fast PowerMESH IGBT

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型号：STGP7NC60HD；Package：TO-220；N-channel 14 A, 600 V, very fast IGBT with Ultrafast diode

Description ThesedevicesareveryfastIGBTdeveloped usingadvancedPowerMESH™technology.This processguaranteesanexcellenttrade-off betweenswitchingperformanceandlowon-state behavior.Thesedevicesarewell-suitedfor resonantorsoft-switchingapplications. Features ■Lowo

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详细参数

型号：
GP7NC60H
功能描述：
IGBT 晶体管 V-FAST POWERMESH
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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