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GP30H60DF	文件：1.95033 Mbytes Page：24 Pages	型号：STGP30H60DF；Package：TO-220；600 V, 30 A high speed trench gate field-stop IGBT Description ThisdeviceisanIGBTdevelopedusingan advancedproprietarytrenchgateandfieldstop structure.ThisIGBTseriesofferstheoptimum compromisebetweenconductionandswitching losses,maximizingtheefficiencyofveryhigh frequencyconverters.Furthermore,apositive VCE(s	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
GP30H60DFB	文件：1.75373 Mbytes Page：21 Pages	型号：STGP30H60DFB；Package：TO-220；Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed Description ThesedevicesareIGBTsdevelopedusingan advancedproprietarytrenchgateandfieldstop structure.ThedeviceispartofthenewHBseries ofIGBTs,whichrepresentanoptimum compromisebetweenconductionandswitching lossestomaximizetheefficiencyofany frequencyconve	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团

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型号：STGP30H60DF；Package：TO-220；600 V, 30 A high speed trench gate field-stop IGBT

Description ThisdeviceisanIGBTdevelopedusingan advancedproprietarytrenchgateandfieldstop structure.ThisIGBTseriesofferstheoptimum compromisebetweenconductionandswitching losses,maximizingtheefficiencyofveryhigh frequencyconverters.Furthermore,apositive VCE(s

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型号：STGP30H60DFB；Package：TO-220；Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed

Description ThesedevicesareIGBTsdevelopedusingan advancedproprietarytrenchgateandfieldstop structure.ThedeviceispartofthenewHBseries ofIGBTs,whichrepresentanoptimum compromisebetweenconductionandswitching lossestomaximizetheefficiencyofany frequencyconve

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