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STGP30H60DFB分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
STGP30H60DFB |
| 参数属性 | STGP30H60DFB 封装/外壳为TO-220-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB |
| 功能描述 | Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | TO-220 / TO-220-3 |
| 文件大小 |
1.75373 Mbytes |
| 页面数量 |
21 页 |
| 生产厂商 | STMicroelectronics |
| 企业简称 |
STMICROELECTRONICS【意法半导体】 |
| 中文名称 | 意法半导体集团官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-6-23 13:00:00 |
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STGP30H60DFB规格书详情
STGP30H60DFB属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由意法半导体集团制造生产的STGP30H60DFB晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
Description
These devices are IGBTs developed using an
advanced proprietary trench gate and field stop
structure. The device is part of the new HB series
of IGBTs, which represent an optimum
compromise between conduction and switching
losses to maximize the efficiency of any
frequency converter. Furthermore, a slightly
positive VCE(sat) temperature coefficient and very
tight parameter distribution result in safer
paralleling operation.
Features
• Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
• High speed switching series
• Minimized tail current
• VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 30 A
• Tight parameters distribution
• Safe paralleling
• Low thermal resistance
• Very fast soft recovery antiparallel diode
Applications
• Photovoltaic inverters
• High frequency converters
产品属性
更多- 产品编号：
STGP30H60DFB
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
沟槽型场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，30A
- 开关能量：
383µJ（开），293µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
37ns/146ns
- 测试条件：
400V，30A，10 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220
- 描述：
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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