STGP30H60DFB 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 STMICROELECTRONICS/意法半导体

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1+	面议

厂家型号：
STGP30H60DFB
产品分类：
芯片
生产厂商：
ST(意法半导体)
库存数量：
1612
产品封装：
TO-220
生产批号：
24+
库存类型：
热卖库存
更新时间：
2025-8-2 8:12:00

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原厂料号：STGP30H60DFB品牌：ST(意法半导体)

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STGP30H60DFB是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商ST(意法半导体)/STMicroelectronics生产封装TO-220/TO-220-3的STGP30H60DFB晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

芯片型号：
STGP30H60DFB
规格书：
下载下载2
企业简称：
STMICROELECTRONICS【意法半导体】详情
厂商全称：
STMicroelectronics
中文名称：
意法半导体集团
内容页数：
21 页
文件大小：
1753.73 kb
资料说明：
Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed

产品属性

类型
描述
产品编号：
STGP30H60DFB
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，30A
开关能量：
383µJ（开），293µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
37ns/146ns
测试条件：
400V，30A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB

供应商

企业：
深圳市高捷芯城科技有限公司
商铺：
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联系人：
高捷芯城-敏敏
手机：
13378405761
询价：
电话：
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传真：
0755-82550578
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STGP30H60DFB 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 STMICROELECTRONICS/意法半导体

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