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STGP19NC60H分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

STGP19NC60H
厂商型号

STGP19NC60H

参数属性

STGP19NC60H 封装/外壳为TO-220-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 40A 130W TO220

功能描述

19 A - 600 V - very fast IGBT
IGBT 600V 40A 130W TO220

丝印标识

GP19NC60H

封装外壳

TO-220 / TO-220-3

文件大小

663.63 Kbytes

页面数量

15

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体集团官网

原厂标识
STMICROELECTRONICS
数据手册

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更新时间

2025-8-4 23:00:00

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STGP19NC60H规格书详情

STGP19NC60H属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由意法半导体集团制造生产的STGP19NC60H晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

描述 Description

This IGBT utilizes the advanced PowerMESH™

process resulting in an excellent trade-off

between switching performance and low on-state

behavior.

特性 Features

■ Low on-voltage drop (VCE(sat))

■ High frequency operation

Applications

■ High frequency motor drives

■ SMPS and PFC in both hard switch and

resonant topologies

产品属性

更多
  • 产品编号:

    STGP19NC60H

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    PowerMESH™

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.5V @ 15V,12A

  • 开关能量:

    85µJ(开),189µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    25ns/97ns

  • 测试条件:

    390V,12A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220

  • 描述:

    IGBT 600V 40A 130W TO220

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