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STGP19NC60H分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
厂商型号 |
STGP19NC60H |
参数属性 | STGP19NC60H 封装/外壳为TO-220-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 40A 130W TO220 |
功能描述 | 19 A - 600 V - very fast IGBT |
丝印标识 | |
封装外壳 | TO-220 / TO-220-3 |
文件大小 |
663.63 Kbytes |
页面数量 |
15 页 |
生产厂商 | STMicroelectronics |
企业简称 |
STMICROELECTRONICS【意法半导体】 |
中文名称 | 意法半导体集团官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-4 23:00:00 |
人工找货 | STGP19NC60H价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
STGP19NC60H规格书详情
STGP19NC60H属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由意法半导体集团制造生产的STGP19NC60H晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
描述 Description
This IGBT utilizes the advanced PowerMESH™
process resulting in an excellent trade-off
between switching performance and low on-state
behavior.
特性 Features
■ Low on-voltage drop (VCE(sat))
■ High frequency operation
Applications
■ High frequency motor drives
■ SMPS and PFC in both hard switch and
resonant topologies
产品属性
更多- 产品编号:
STGP19NC60H
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列:
PowerMESH™
- 包装:
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.5V @ 15V,12A
- 开关能量:
85µJ(开),189µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
25ns/97ns
- 测试条件:
390V,12A,10 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3
- 供应商器件封装:
TO-220
- 描述:
IGBT 600V 40A 130W TO220
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法半导体) |
24+ |
TO220 |
7350 |
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询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
3415 |
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询价 | ||
ST |
23+ |
TO-220 |
20000 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-220-3 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-220-3 |
6000 |
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ST/意法 |
24+ |
TO220 |
880000 |
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ST |
1844+ |
TO220 |
9852 |
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ST/意法半导体 |
21+ |
TO-220-3 |
8080 |
只做原装,质量保证 |
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ST/意法半导体 |
24+ |
TO-220-3 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
ST |
22+ |
NA |
12000 |
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询价 |