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STGP12NB60KD分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
厂商型号 |
STGP12NB60KD |
参数属性 | STGP12NB60KD 封装/外壳为TO-220-3;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 600V 30A 125W TO220 |
功能描述 | N-CHANNEL 18A - 600V TO-220/D2PAK SHORT CIRCUIT PROOF PowerMESH IGBT |
文件大小 |
531.51 Kbytes |
页面数量 |
11 页 |
生产厂商 | STMicroelectronics |
企业简称 |
STMICROELECTRONICS【意法半导体】 |
中文名称 | 意法半导体(ST)集团官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-9-20 23:26:00 |
STGP12NB60KD规格书详情
STGP12NB60KD属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。意法半导体(ST)集团制造生产的STGP12NB60KD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
更多- 产品编号:
STGP12NB60KD
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列:
PowerMESH™
- 包装:
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.8V @ 15V,12A
- 开关能量:
258µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
25ns/96ns
- 测试条件:
480V,12A,10 欧姆,15V
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3
- 供应商器件封装:
TO-220
- 描述:
IGBT 600V 30A 125W TO220
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
22+ |
TO-220 |
8700 |
原装现货 |
询价 | ||
ST |
10+ |
5000 |
原装正品长期供货,如假包赔包换 徐小姐13714450367 |
询价 | |||
ST/意法 |
23+ |
NA/ |
3280 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ST |
1726+ |
TO-220 |
6528 |
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ST |
22+ |
TO220AB |
9000 |
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ST |
20+ |
TO-220 |
38560 |
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询价 | ||
ST/意法 |
2022 |
TO-220 |
80000 |
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ST/意法 |
24+ |
TO220F |
58000 |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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STMicro. |
23+ |
TO-220 |
7750 |
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ST |
589220 |
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询价 |