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PBSS4360XF

60 V, 3 A NPN low VCEsat BISS transistor

文件:254.8 Kbytes 页数:13 Pages

NEXPERIA

安世

PBSS4360XF

Package:TO-243AA;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:PBSS4360X/SOT89/MPT3

Nexperia USA Inc.

Nexperia USA Inc.

PBSS4360XX

60 V, 3 A NPN low VCEsat BISS transistor

文件:254.8 Kbytes 页数:13 Pages

NEXPERIA

安世

PBSS4360Z

60 V, 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistor

General description NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power SOT223 (SC-73) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement: PBSS5360Z. Features and benefits • Low collector-emitter saturation voltage VCEsat • High collector current capabili

文件:717.01 Kbytes 页数:14 Pages

NEXPERIA

安世

PE4360

SMB JACK SOLDER/CLAMP ATTACHMENT FOR RG405 PE-SR405AL &PE-SR405FL

文件:120.52 Kbytes 页数:1 Pages

PASTERNACK

产品属性

  • 产品编号:

    PBSS4360XF

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    400mV @ 300mA,3A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    200 @ 1A,5V

  • 频率 - 跃迁:

    75MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-243AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-89

  • 描述:

    PBSS4360X/SOT89/MPT3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Nexperia(安世)
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更多PBSS4360XF供应商 更新时间2025-12-14 15:01:00