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PBSS5112PAP	文件：300 bytes Page：1 Pages	120 V, 1 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor; • Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat\n• High collector current capability IC and ICM\n• High collector current gain hFE at high IC\n• Reduced Printed-Circuit Board (PCB) requirements\n• High energy efficiency due to less heat generation\n• AEC-Q101 qualified\n; PNP/PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadless medium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN/PNP complement: PBSS4112PANP. NPN/NPN complement: PBSS4112PAN.\n	NexperiaNexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	Nexperia
PBSS5112PAP	文件：751.97 Kbytes Page：17 Pages	丝印：2S；Package：DFN2020-6；120 V, 1 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor 1.1Generaldescription PNP/PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaleadless mediumpowerDFN2020-6(SOT1118)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPN/PNPcomplement:PBSS4112PANP.NPN/NPNcomplement:PBSS4112PAN. 1.2Featuresandbenefits •Verylowcoll	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5112PAP	文件：300 bytes Page：1 Pages	120 V, 1 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor;	恩XP	恩XP
PBSS5112PAP	文件：254 Kbytes Page：17 Pages	120 V, 1 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor	ETC	ETC
PT5112	文件：137.58 Kbytes Page：3 Pages	DIODEMODULE50A/1200V/1600V FEATURES IsolatedBase 3PhaseBridgeCircuit HighSurgeCapability ULRecognized,FileNo.E187184 TYPICALAPPLICATIONS *RectifiedForGeneralUse	NIEC Nihon Inter Electronics Corporation	NIEC
PT5112	文件：170.58 Kbytes Page：7 Pages	1AMPPOSITIVESTEP-DOWNINTEGRATEDSWITCHINGREGULATOR	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
PT5112A	文件：170.58 Kbytes Page：7 Pages	1AMPPOSITIVESTEP-DOWNINTEGRATEDSWITCHINGREGULATOR	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
PT5112C	文件：170.58 Kbytes Page：7 Pages	1AMPPOSITIVESTEP-DOWNINTEGRATEDSWITCHINGREGULATOR	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
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PT5112M	文件：170.58 Kbytes Page：7 Pages	1AMPPOSITIVESTEP-DOWNINTEGRATEDSWITCHINGREGULATOR	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI

技术参数

Package name：
DFN2020-6
Size (mm)：
2 x 2 x 0.65
Product status：
Production
Polarity：
PNP
Nr of transistors：
2
Ptot [max] (mW)：
1040
VCEO [max] (V)：
-120
IC [max] (A)：
-1
VCEsat [max] (PNP) (mV)：
-480
RCEsat@IC [max]; IC/IB =10 [typ] (mΩ)：
440
hFE [min]：
190
fT [typ] (MHz)：
100

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	PBSS5112PAP	NEXPERIA/安世	25+	SOT1118	600000	NEXPERIA/安世全新特价PBSS5112PAP即刻询购立享优惠#长期有排单订	询价
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更多PBSS5112PAP供应商更新时间2025-7-29 16:33:00

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